세계 최대급 첨단 시스템 반도체 제조 및 생태계 거점

 

주요 생산 대상 : 첨단 파운드리, HBM, 첨단 D램 등 

위치 : 경기도 용인 남사읍 / 이동읍

면적 : 777만 ㎡ (235만 평)

투자 규모 : 360 조 원

공사 기간 : 2026 ~ 2040년

현황 : 2026년 현재 부지 조성 공사 시작하여 2028년 첫 FAB 착공 목표로 공사 진행 중

 

 

3. 기흥 캠퍼스 NRD-K 

 

차세대 반도체 연구개발 (R&D) 핵심 거점

 

주요 연구 대상 : 차세대 D램, V 낸드, 첨단 파운드리등

위치 : 경기도 용인 기흥구

면적 : 10.9만 ㎡ (3.3만 평)

투자 규모 : 20 조 원

공사 기간 : 2022 ~ 2030년

현황 : 2024년 NRD-K 1라인 준공 후 2라인 기초공사 진행 중

 

 

4. 온양 캠퍼스 패키징 증설 및 신규 투자

AI 메모리 후공정 핵심 생산기지

 

주요 생산 대상 : AI 서버용 HBM 패키징 / 검사

위치 : 충청남도 아산시 배방읍

면적 : 14.3만 ㎡ (4.3만 평)

투자 규모 : 46 조 원

공사 기간 : 2026 ~ 2029년

현황 : 2026년 신규 공장 심의 통과 후 올해 9~10월 내 착공 예정 

5. 천안 디스플레이 공장 전환 및 신규 투자

HBM 및 첨단 반도체 패키징 생산기지

 

주요 생산 대상 : HBM 패키징 및 첨단 반도체 후공정

위치 : 충청남도 천안시

면적 : 28만 ㎡ (8.5만 평)

투자 규모 : 10 조 원

공사 기간 : 2024~ 2027 년

현황 : 일정에 맞추어 공장 전환 및 장비 증설 진행 중

 

 

 

6. 광주 반도체 클러스터

수도권 외 차세대 첨단 메모리 생산거점

 

주요 생산 대상 : 첨단 메모리 및 AI용 반도체

위치 : 전라광주특별시 군공항 부지 

면적 : 826만 ㎡ (250만 평) (산업단지 전체 면적)

투자 규모 : 400 조 원

투자 계획 기간 : 2026 ~ 2040년

현황 : 광주 군공항 일대 후보지 지정 이후 LH가 예비 사업시행자를 맡아 조사설계용역 수행 중

 

 

 

7. 미국 텍사스 테일러 FAB

미국 첨단 파운드리 핵심 생산기지

 

주요 생산 대상 : 2nm 및 차세대 첨단 시스템 반도체

위치 : 미국 텍사스주 테일러시

면적 : 500만 ㎡ (151.2만 평) 

투자 규모 : 49.6 조 원 (370억 달러) ※ 미국 정부로부터 보조금 6.9조 원 지원 확정

투자 계획 기간 : 2022 ~ 2030+년

현황 : FAB1 완공 후 시운전 및 가동 준비중이며 FAB2 착공 준비 중

 

 

 

8. 베트남 타이응우옌 후공정 FAB

 

글로벌 범용 메모리 검사 / 후공정 및 수출 거점

 

주요 생산 대상 : D램 / 낸드플래시 최종 검사

위치 : 베트남 타이응우옌성 옌빈 산업단지

면적 : 26.6만 ㎡ (8만 평) 

투자 규모 : 5.5 조 원

투자 계획 기간 : 2026 ~ 2030+년

 

현황 : 현재 1공장 건설 진행 중

 

 

첨단 패키징 연구개발 거점 

 

주요 연구 대상 : HBM / GPU 첨단 패키징, 칩렛, 접합 소재 등

위치 : 일본 가나가와현 요코하마시

면적 : 0.6만 ㎡ (2천 평) 

투자 규모 : 3,500억 원 (400억 엔)  ※ 일본 정부로부터 보조금 1,900억 원 지원 확정

투자 기간 : 2024 ~ 2028년

 

현황 : 개소 완료 후 연구 진행 중 추후 연구소 인력 100명+ 가량으로 확대 예정

 

 

 

 

 

 

 

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